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沉積設(shè)備
  • 原子層沉積設(shè)備
    用于沉積納米級(jí)薄膜、納米粉末包覆、長(zhǎng)深孔樣品鍍膜。 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD。 具備近100種膜層工藝。
  • 分子束外延
    外延生長(zhǎng)二維材料以及拓?fù)洳牧稀⒀趸铩⒌锏龋鏘II-V 族,II-VI 族,Si/SiGe ,金屬與金屬氧化物及GaN,AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS,OLED 等
  • 脈沖激光沉積
    利用激光轟擊靶材沉積異質(zhì)結(jié)構(gòu)金屬氧化物(如Fe/SrTiO3、Nb/SrTiO3、BiFeO3等)、高溫超導(dǎo)材料、硅氧化物、高K氧化物、金屬氮化物、鐵電材料等
  • 蒸銦設(shè)備
    蒸銦專用設(shè)備,滿足高品質(zhì)銦柱沉積的需要,具有成熟的蒸銦的工藝,具有優(yōu)化的Lift-off工藝設(shè)計(jì),滿足高厚度、回流、倒裝冷焊的工藝前道要求。
  • 團(tuán)簇式沉積設(shè)備
    多功能Cluster團(tuán)簇式薄膜沉積/刻蝕系統(tǒng)MBE/PLD/ALD/ICP/RIE/Sputter/IBE/EBE
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